半导体芯片减薄工艺流程主要包括以下步骤： 一、半导体芯片前期准备 1、晶圆选择：根据生产要求和成本考虑，选择经过初步清洗和检验合格的单晶硅圆盘作为原始晶圆。 2、临时键合（针对易碎或硬度较低的晶圆材料，如InP）：为防止晶圆在研磨过程中碎裂，会先用中间介质（如固态蜡）将晶圆临时键合到较厚的载体基片上，为其提供结构支撑。这一步骤完成后，露出晶圆的背面以待完成...
什么是电化学机械抛光(ECMP)？目前化学机械抛光的材料去除率以及加工后的表面粗糙度，已经很难通过改变工艺取得大的突破。在CMP抛光的基础上施加增效辅助，成为了近些年大幅度提高材料去除率和降低表面粗糙度的最优选择。ECMP是一种利用电解液作为抛光液，将工件的电化学腐蚀与机械抛光相结合的精密工艺。在单晶SiC (作为阳极)表面带电后通过阳极氧化产生氧化层，然后用软磨料机械去除氧化层，最后获得超...
催化剂表面基准刻蚀平滑化技术（CARE）在电子器件用半导体单晶的表面加工中，要求在平坦、光滑的同时，尽可能地减少晶体缺陷的导入。一般来说，在研磨等机械加工中，由于从表面的凸部选择性地进行去除，因此可以高效率地改善表面的平坦度，但是在加工面上残留加工劣化层。另一方面，在湿法蚀刻和等离子蚀刻等化学加工的情况下，虽然没有加工变质层的残留，但是由于没有积极的平坦化结构，所以一般不能进行平坦、平滑化。...
等离子体辅助抛光技术（PAP）等离子体辅助抛光技术将等离子体表面改性与机械研磨相结合，利用等离子体产生的高能量高活性粒子对基底表面进行改性，结合机械研磨工艺，从而实现高效、低损伤的抛光效果。（1）PAP 技术的原理芯片材料可以主要有以下几种：硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）以及单晶金刚石（Single Crystal Diamond, SCD）等。这些材料在芯...
什么是先进封装？我们先来看一下先进封装的定义和特点，先进封装就是采用了先进的设计思路和先进的集成工艺，对芯片进行封装级的重构，并且能有效提高系统功能密度的封装，我们称之为先进封装。先进封装这个词现在非常热门，它的英文称为Advanced Package，有时候也被称为高密度先进封装HDAP，是当前封装技术发展的热点。从晶圆厂到封装再到系统，整个半导体业界都很关注。大家可以想象一下，如果我们将...
本文共同第一作者葛睿来自上海交通大学先进光通信系统与网络国家重点实验室。文章聚焦薄膜铌酸锂光子晶体，综述其在制备、表征及应用*领域的最新进展：首先介绍铌酸锂材料本身具备的电光、非线性光学、声光、压电、光折变及热释电等优异特性，以及薄膜铌酸锂光子晶体“亚波长尺度约束光、利于片上器件集成”的优势；随后结合商业化铌酸锂绝缘体上芯片的发展背景，阐述高质量薄膜铌酸锂光子晶体的涌现，并从“指导器件研究”...
先进制程正在把“电镀”从后段配套工序，推成先进封装和三维互连里的关键工艺节点。无论是 TSV 铜填充、RDL 重布线、铜柱/微凸块，还是面板级封装中的大面积金属沉积，最后考验的都不只是“能不能镀上去”，而是能否在更薄种子层、更高深宽比、更大面积基板和更严苛良率目标下，稳定地做到无空洞、低应力、高均匀性和可量产复制。本文不把电镀设备当成单一机台看，而是把它放在“工艺窗口、化学体系、流场电场控制...
一、常规颗粒检测手段原理明场检测基于光学反射与散射原理，采用平行光照射晶圆表面，正常区域反射光均匀，缺陷区域（如颗粒、划痕）因形貌变化导致散射或反射方向改变，通过分析反射光强度分布识别宏观缺陷。暗场检测则通过倾斜角度光源照射晶圆，仅收集缺陷产生的散射光（正常表面反射光不进入探测器），从而实现微小缺陷检测。其灵敏度通常低于15nm，可识别微小颗粒、表面粗糙度变化等。二、半导体膜厚检测相关设备椭...
在晶圆边缘2-3mm区域有5个不同的区域，分别为：晶圆顶部边缘（Wafer Top Edge）、上斜面（Upper Bevel）、顶端（Apex）、下斜面（Bottom Bevel）和晶圆底部顶端（Wafer Bottom Edge）。晶圆制造标准要求对于边缘斜面区域进行抛光，防止在这个区域出现晶圆的崩边（chipping）或开裂（cracking）。 在3D NAND闪存制造过程中，在边缘...
引言当传统边缘抛光工艺在于“表面光亮”，精密抛光技术则需要实现边缘形貌与粗糙度的精确控制。玻璃材料的加工精度，尤其是边缘质量的控制，已成为影响最终器件性能、可靠性与生产良率的关键环节之一。通常，玻璃在切割成型后，会经过磨削和倒角处理，以获得基本尺寸与形状，并消除锋利边角以保障操作安全。但一个普遍且重要的问题是：为什么在边缘已经过磨边倒角之后，仍需要再进行一道边缘抛光工序？加了这道工序虽能实现...
摘要重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中，硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验，使用显微镜观察抛光片的边缘形貌，使用三维光学表面分析仪对抛光片的表面粗糙度进行测量，之后对抛光后的样品进行外延加工，对比经过不同加工方式的抛光后硅片边缘损伤的残留程度。结果表明...
边缘抛光机是指采用化学机械抛光方法，对硅片边缘进行抛光，降低硅片边缘的粗糙度和加工应力的工艺设备。进行硅片例角加工时，由于倒角磨轮后料粒度的原因，硅片边豫总会残留一定深度的损伤层，表面粗糙度较大，所以无法清足后续硅片制道过程中对洁净度的要求。通过硅片边缘抛光，一方面可以降低硅片边缘的粗精皮、降低边缘行染， 另一方面可以消除边缘加工应力、减小硅片碎裂的风险。在实际应用中，直径20m或30mm的...
电子封装清洗关键技术指南一、概述 随着电子信息产业快速发展，三维封装等先进技术应运而生。封装间距的不断缩小显著提高了工艺难度，也对封装后产品的洁净度提出了更严格的要求。封装过程中残留的污染物往往具有腐蚀性与导电性，会严重影响组件间的物理化学性能和电气特性，从而降低产品可靠性。因此，封装过程中的清洗工艺及相关清洗剂已成为确保产品质量的关键环节。 清洗剂产业作为轻工业的重要组成部分，不...
一、当“硅不再是唯一”——材料革命带来的清洗挑战从 90 nm 到 28 nm，再到 FinFET、GAA 结构的世代更替，材料体系也在重构：金属布线：由 铝 → 铜（Cu）介电层：由 SiO₂ → 多孔 Low-k（SiCOH）电极与电容材料：出现 Ru、Pt、Ta₂O₅、BST、PZT 等新组合这些新材料的共同点，是对传统酸碱清洗液都不再“稳”：酸会腐蚀铜，碱会侵蚀低 k 层的有机骨架。...
过去几年，摩尔定律已经转向先进封装技术，但这种方法的局限性现在才逐渐显现出来。人工智能和高性能计算的设计规模越来越大，结构越来越复杂，这使得封装力学和工艺控制不再仅仅成为衡量互连密度的瓶颈，而是成为下一个挑战。随着结构变得更薄、更大、更异质，翘曲、玻璃脆性、混合键合良率、临时键合偏差和基板限制等问题也变得越来越难以控制。这些问题是今年 iMAPS 大会上反复出现的主题，并在最近的采访中也多次...
摩尔定律放缓之后，先进封装一度被视作延续芯片性能增长、突破物理制程限制的“救命稻草”。但步入2026年，这条依托高密度异构集成的技术路线，却迎来了全面碰壁的困境：翘曲问题失控、混合键合良率暴跌、超薄晶圆背面处理精度失守，传统有机基板更是逼近性能与工艺的双重物理极限。在iMAPS先进封装大会上,全球头部封测厂商、设备商与材料企业达成共识：机械工艺与应力控制问题，已经彻底取代电气性能设计，成为制...
2.5D 封装关键技术的研究进展马千里 马永辉 钟诚 李晓 廉重 刘志权（哈尔滨工程大学烟台研究院 深圳先进电子材料国际创新研究院 中国科学院深圳先进技术研究院 南方科技大学半导体学院 （国家卓越工程师学院））摘要：随着摩尔定律指引下的晶体管微缩逼近物理极限，先进封装技术通过系统微型化与异构集成，成为突破芯片性能瓶颈的关键路径。作为先进封装的核心分支，2.5D 封装通过硅/玻璃中介层 实现高...
Chiplet技术与异构集成（Chiplet Technology & Heterogeneous Integration）。Chiplet是将多个功能小芯片（Dielet）像“乐高积木”一样拼装成高性能SoC的技术。从多个角度看，Chiplet不仅是工艺创新，还涉及物理（互联延迟）、化学（微凸块材料）、热管理、经济成本（重复利用IP）和生态合作。它决定了芯片的性能密度、功耗、成本和上市时间...
Chiplet（芯粒）技术是SoC集成发展到当今时代，摩尔定律逐渐放缓情况下，持续提高集成度和芯片算力的重要途径。工业界近期已经有多个基于Chiplet的产品面市，Intel甚至发布了集成47颗芯片的Ponte Vecchio系列，Chiplet封装技术已经是芯片厂商比较依赖的技术手段了。相比传统Monolithic芯片技术，Chiplet封装技术背景下，可以将大型单片芯片划分为多个相同或者...
电子封装清洗剂的选择与应用一、概述 近年来，随着电子信息产业的蓬勃发展和三维封装、超摩尔定律等概念的兴起，芯片封装间距不断缩小，对制造精度和封装后产品洁净度提出了前所未有的严格要求。封装工艺中沉积的污染物不仅具有腐蚀性和导电性，还会严重影响元器件之间的理化和电气性能，显著降低产品的整体可靠性。因此，清洗工艺及相关清洗剂已成为确保电子封装质量的关键环节。 作为轻工业的重要组成部...
随着对更小、更快、更节能的器件的需求不断增长，对更薄晶圆的需求也变得日益重要。晶圆背面研磨（也称为晶圆减薄 ）通过控制晶圆厚度，在实现这一目标中发挥着至关重要的作用。晶圆厚度控制是制造超薄晶圆的必要条件，而超薄晶圆则用于在紧凑型电子设备中实现比例协调、高密度封装。半导体晶圆背面研磨（Back Grinding, BG）是先进封装与3D集成中的关键薄化工艺。尤其对于混合键合工艺，背磨质量直接决...
金刚石作为碳元素构成，不仅是自然界中硬度最高的物质，更在光学领域展现出独特价值。金刚石的光学特性与其晶体结构和电子能带结构紧密相关。从晶体结构来看，它属于面心立方结构，每个碳原子通过sp3杂化与相邻4个碳原子形成共价键，碳碳键长约0.154nm，键能高达 345kJ/mol，这种紧密且稳定的结构，使得晶体内部缺陷少、杂质难以嵌入,当光线穿过时，较少因晶格缺陷发生散射，能保持较高的透过效率。从...
日前，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，开始交付用于下一代功率半导体的150毫米（6英寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆样品，这一动作标志着氧化镓作为超宽禁带半导体材料，向规模化量产迈出了关键一步。据悉，NCT已明确后续发展路线：2027年交付150毫米β-Ga₂O₃外延片样品，2029年实现全面量产，2035年进一步开发并供应200毫米（8英寸）β-Ga₂O₃晶圆...
今年以来，碳化硅（SiC，碳和硅的化合物）产业层面催化不断。近日，露笑科技宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试；在此之前的1月中旬，美国SiC企业Wolfspeed亦宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆……随着12英寸SiC产品加快涌现，资本市场曾多次出现CoWoS（台积电的先进封装技术）将用碳化硅替代硅作为中间层的传闻。不过，对于这一说法，S...
从报废到再上机：一文读懂Wafer Reclaim（再生晶圆）的工艺、指标与门道你可能听过“芯片制造是烧钱的艺术”，但真正进过晶圆厂（Fab，Fabrication Plant）的人会发现： 除了昂贵的光刻机和材料，最容易被忽略、却又天天在消耗的，是各类“测试/监控晶圆”。这些晶圆不直接变成可卖的芯片，却要反复上机台跑工艺，用来做设备状态确认、工艺窗口验证、污染监控、量测校准、制程切换过渡…...
一、 运维模式选择：自己养人还是外包？数据说了算核心问题： 洁净室运维到底是组建自己的专业团队，还是外包给第三方？硬核数据：一项针对全国1308家医院洁净手术室的调查研究给出了明确答案。结果显示，有25.7%的洁净室未能达到国家标准GB 50333的要求。而在影响达标率的诸多因素中，“维护模式”是最关键的一个——采用“专业团队维护”的洁净室，达标率远高于“外包或无人维护”。统计学分析表明，专...
晶圆也会“洗”出毛病？一文讲透 WET Clean 的 Defect 真相你有没有遇到过这种“诡异”的良率波动：同一套光刻、同一台刻蚀、同一批材料，偏偏某几片晶圆（Wafer）在电测（E-test，电性测试）或缺陷扫描里爆出一堆点——像撒了芝麻。工程师一路追到最后，发现罪魁祸首可能不是光刻，也不是刻蚀，而是一个看起来“最无辜”的步骤：WET Clean（湿法清洗）。更反直觉的是：WET Cl...
微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）是制备高品质金刚石的核心技术，其通过微波激发等离子体实现碳原子在基底上的可控沉积。以下从工艺原理、关键技术、设备创新及应用突破等方面展开分析：一、工艺原理与核心机制1. 等离子体激发与反应路径微波能量耦合：2.45GHz 或 915MHz 微波通过谐振腔聚焦，在反应室内形成强电磁场，将氢气（H₂）和甲烷（CH₄）混合气体电离为等离子体，产生高活性氢原子（...
一、引言在半导体封装技术中，热管理与机械可靠性始终是工程师最为关注的核心问题之一。随着芯片尺寸的不断缩小、集成度的不断提高以及异质集成技术（如2.5D/3D封装、CoWoS、FOWLP等）的发展，封装中不同材料间的热膨胀系数（CTE）失配问题日益凸显。CTE的不匹配会在温度变化过程中导致材料间的应力积累、界面剥离、焊点疲劳乃至封装翘曲（warpage）等一系列可靠性风险。因此，深入理解并合理...
化学机械抛光CMP工艺不仅用于不同衬底材料的制备，还常用于晶圆表面纳米级的平坦化，特别在极大规模集成电路中，CMP是唯一可以实现全局平坦化的技术。CMP质量与CMP设备、抛光垫和抛光液紧密相关。磨料作为抛光液的核心组分之一，不仅直接参与机械研磨过程，还与抛光液中的其他化学成分相互作用，共同影响抛光效果。1 磨料的种类磨料的种类有很多，除了传统的磨料之外，近年来涌现了很多新型磨料。按其成分划分...
新加坡和比利时的研究人员报道称，在中度缩放的硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMTs）于30GHz工作时，实现了超过60%的创纪录峰值功率附加效率（PAE）[Yihao Zhuang等人，《IEEE电子器件快报》，2026年1月22日在线发表]。同时，这些器件还展现了业界领先的噪声系数（NF），最低仅为1.1dB。来自南洋理工大学、新加坡科技研究局（A*STAR）以及比...
氮化铝（AlN）单晶衬底作为第四代半导体材料，凭借其独特的物理化学性质和优异性能，有望成为AI产业的关键推动力量。AlN具备高达6.2eV的禁带宽度、高击穿场强、高化学和热稳定性，以及高导热和抗辐射等特性，高质量的AlN 单晶基板可广泛应用于射频器件、功率电子、MEMS元件等领域，能够有效提升设备的稳定性和性能。此外，AlN在光电探测、阴极发光、光子集成电路等光电领域也具有巨大潜力。氮化铝单...
近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造d...
以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽带隙（WBG）半导体受到广泛关注，人们对碳化硅在电动汽车和电网等领域的应用前景以及氮化镓在快速充电领域的应用前景寄予厚望。近年来，对Ga2O3、AlN和金刚石材料的研究取得了显著进展，使超宽带隙半导体材料成为人们关注的焦点。其中，氧化镓（Ga2O3）是一种新兴的超宽带隙半导体材料，其带隙为4.8eV，理论临界击穿场强约 8 MV cm−1和饱和速...
PART1 金刚石衬底单晶金刚石具有超宽的禁带宽度、低的介电常数、高的击穿电压、高的本征电子和空穴迁移率，以及优越的抗辐射性能，是已知的最优秀的宽禁带高温半导体材料。相比常规的半导体材料硅，金刚石优异的热导率能够及时散发电路运转过程中的热量，从而极大地提高精密仪器的运行功率，避免由于热量聚集导致各类电子器件损坏。另外，金刚石的饱和载流子速度优于其他的半导体材料，加上高的电子迁移率及极高的击穿...
2月3日，上海市第十六届人大四次会议在世博中心开幕。上海市市长龚正作《政府工作报告》。报告指出，2026年将大力培育发展脑机接口、第四代半导体等未来产业。何为第四代半导体？第四代半导体发展近况如何？作为未来产业中未来材料方向的关键组成部分，其将对半导体乃至整个电子信息产业带来何种影响？第四代半导体是继第一代硅基半导体、第二代化合物半导体（如砷化镓、磷化铟）、第三代宽禁带半导体（如碳化硅、氮化...
一、市场格局：中美日技术路线分化，钻石散热成新赛道1.中国：液冷技术快速渗透，钻石散热龙头崛起政策驱动：中国“东数西算”工程推动液冷数据中心建设，预计2026年液冷服务器占比达35%，钻石散热片市场规模年复合增长率超25%。技术突破：深圳力合精密装备科技有限公司研发的“超导钻石散热片”实现量产，导热系数达1200W/m·K，是传统铜材的3倍，价格较进口产品降低60%。市场表...
一、核心制程深度拆解：从通孔到金属化的精密协作（一）TGV 制备：高深宽比通孔的多元技术路径玻璃通孔（TGV）是实现玻璃基板垂直互连的核心结构，其成孔质量直接影响后续金属填充效果与电信号传输效率。目前主流成孔工艺各有侧重，需根据基板规格与量产需求精准选择：图1、不同玻璃通孔制备方法对比（一）不同玻璃通孔制备方法介绍1. 喷砂法：加工精度较低，应用场景较少 加工步骤：喷砂法要求在加工前先在玻璃...
全球功率半导体领导者英飞凌（Infineon）近日正式发布白皮书《2026年GaN技术展望》，深度揭示了氮化镓（GaN）技术在未来几年的发展趋势、创新突破及其在塑造可持续未来中的关键作用 。该报告从技术、系统和运营三大支柱出发，深入分析了GaN如何推动功率电子行业向更高效、更可持续的方向发展。英飞凌指出，氮化镓（GaN）正作为一种变革性创新技术脱颖而出，在AI数据中心、人形机器人及电动汽车等...
在半导体制造工艺中，硅片表面的全局平坦化是确保器件性能与集成度持续提升的关键步骤。化学机械抛光（CMP）作为当前唯一能够实现纳米级全局平坦化的工艺，其核心挑战在于如何协同优化材料去除速率与表面质量。传统碱性抛光液依赖高浓度OH⁻离子加速硅的水解腐蚀，虽能提升速率，却常伴随高静态腐蚀率、表面粗糙度难以控制等问题。近年来，一种名为咪唑（Imidazole, IMZ）的杂环化合物，因其在硅片CMP...
近些年来，化学气相沉积（CVD）单晶金刚石在电子学领域的应用令人瞩目，这得益于CVD单晶金刚石在生长技术和半导体掺杂技术上的进展。一直以来，成熟的衬底加工技术是半导体材料得以应用的基础，其中超精密抛光作为晶圆衬底加工的最后一道工序，直接决定了晶圆表面粗糙度和亚表面损伤程度。目前，金刚石抛光技术主要有机械抛光、热化学抛光、激光抛光和化学机械抛光等，其中化学机械抛光（chemical mecha...
近日举办的上海市第十六届人民代表大会第四次会议上指出，2026年将大力培育发展脑机接口、第四代半导体等未来产业。何为第四代半导体？第四代半导体发展近况如何？作为未来产业中未来材料方向的关键组成部分，其将对半导体乃至整个电子信息产业带来何种影响？半导体代表性材料进阶图以氧化镓、金刚石、氮化铝为核心代表的第四代半导体，也被称为“超宽禁带半导体”。随着宽禁带半导体发展越发火热，第四代半导体的潜力也...
一、表面处理概述表面处理业务系基于表面工程学，涉及表面改性、薄膜与涂层分析、表面检测等多种工艺，是材料清洁、材料改性和新材料制备的重要手段，也是目前材料科学产业化最活跃的领域之一。在半导体领域，表面处理既可应用于泛半导体设备零部件新品制造中，是陶瓷、硅、石英和金属等多种材质零部件新品生产的工序之一；也可用于清洁零部件使用中形成的污染，是保障工艺制程稳定和制造良率的重要配套服务；还可用于对消耗...
一、附着力问题分析薄膜附着力不足表现为涂层与基材之间出现剥离、分层或脱落现象，影响产品性能与使用寿命。常见影响因素包括：·基材表面状态：表面能、清洁度、粗糙度及化学性质·涂层材料特性：粘度、表面张力、分子量分布及官能团·涂布工艺参数：涂布速度、压力、温度及干燥条件·界面处理方式：等离子处理、电晕处理或底涂剂使用二、基材预处理技术1. 表面清洁处理基材表面残留的油污、灰尘及氧化物会阻碍涂层附着...
3.3.4. 封装内天线 (AiP)封装内天线 (AiP) 通过高效利用可用空间，在增强性能和可靠性的同时，实现了设备更小、更紧凑的设计。具备5G连接功能的系统带来了若干与高频设计、材料及工艺、互连损耗以及实现精确阻抗匹配所需的工艺控制相关的挑战。需要采用对寄生参数和传播损耗进行精细控制的分布式组件。同时也需要具有高带宽和高增益的小型化天线。已有多种玻璃基天线实现方案得到验证。De等人对D波...
本文综述（2）重点探讨了玻璃基板在先进封装中的四大核心方向：一是利用玻璃超低粗糙度与可调CTE实现1–5μm级细线RDL及大面板制造工艺；二是深入分析TGV与BGA的可靠性，通过应力缓冲层、焊料优化及CTE匹配解决热机械失效问题；三是介绍玻璃面板嵌入（GPE）与光学集成技术，展示其在无TSV异构集成及低损耗光互连中的优势；四是验证玻璃基板在毫米波领域的应用，通过SIW、CPW等结构实现高频低...
玻璃基板技术在现代电子等领域中扮演着愈发重要的角色。本文由Pratik Nimbalkar等七位来自Plaid Semiconductors Inc.以及佐治亚理工学院3D系统封装研究中心的作者撰写，对玻璃基板技术展开全面综述。文中涵盖该技术的多方面关键内容。由于全文篇幅较长，将分三部分刊出，今日呈现的是第一部分。摘要人工智能正在重塑计算领域格局。小芯片（Chiplets）与异构集成已成为当...
在电子器件热管理领域不断探索创新的大背景下，本文得以呈现。本文作者为厦门大学于大全老师及其团队。主要研究内容聚焦于一种新型的异质集成技术 — 用于高效热管理的金刚石 - 芯片 - 玻璃中介层集成。随着电子器件集成度的不断提高，热管理问题日益成为制约其性能提升的关键因素。本文提出的这种集成技术旨在通过创新的材料和结构设计，有效解决电子器件在运行过程中产生的热量积累问题，提高器件的散热效率，进而...
摘要为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光，提高碳化硅抛光的成品率，降低加工成本，对现有的碳化硅化学机械抛光 技术进行了总结和研究。针对碳化硅典型的晶型结构及其微观晶格结构特点，简述了化学机械抛光技术对碳化硅材料 去除的影响。重点综述了传统化学机械抛光技术中的游离磨料和固结磨料工艺以及化学机械抛光的辅助增效工艺。同时从工艺条件、加工效果、加工特点及去除机理 4 个方面归纳了不同形式的化学机械抛光技...
做我们这一行，天天盯着真空计看。从大气压抽到本底，再充气到工作气压，这套流程闭着眼睛都能做。但是，你有没有想过，真空炉里到底是个什么状态？所谓的“真空PVD”到底是在干什么？今天我们不谈复杂的工艺参数，专门聊聊这个最基础、却又最迷人的“真空”概念。1.真空并不是真的“空”很多人直觉认为，真空就是里面什么都没有了。其实大错特错。即使是我们常用的高真空设备，抽到 5×10⁻³ Pa 这个级别，炉...
