半导体芯片减薄工艺流程主要包括以下步骤：       一、半导体芯片前期准备       1、晶圆选择：根据生产要求和成本考虑，选择经过初步清洗和检验合格的单晶硅圆盘作为原始晶圆。       2、临时键合（针对易碎或硬度较低的晶圆材料，如InP）：为防止晶圆在研磨过程中碎裂，会先用中间介质（如固态蜡）将晶圆临时键合到较厚的载体基片上，为其提供结构支撑。这一步骤完成后，露出晶圆的背面以待完成...

在晶圆边缘2-3mm区域有5个不同的区域，分别为：晶圆顶部边缘（Wafer Top Edge）、上斜面（Upper Bevel）、顶端（Apex）、下斜面（Bottom Bevel）和晶圆底部顶端（Wafer Bottom Edge）。晶圆制造标准要求对于边缘斜面区域进行抛光，防止在这个区域出现晶圆的崩边（chipping）或开裂（cracking）。 在3D NAND闪存制造过程中，在边缘...

引言当传统边缘抛光工艺在于“表面光亮”，精密抛光技术则需要实现边缘形貌与粗糙度的精确控制。玻璃材料的加工精度，尤其是边缘质量的控制，已成为影响最终器件性能、可靠性与生产良率的关键环节之一。通常，玻璃在切割成型后，会经过磨削和倒角处理，以获得基本尺寸与形状，并消除锋利边角以保障操作安全。但一个普遍且重要的问题是：为什么在边缘已经过磨边倒角之后，仍需要再进行一道边缘抛光工序？加了这道工序虽能实现...

摘要重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中，硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验，使用显微镜观察抛光片的边缘形貌，使用三维光学表面分析仪对抛光片的表面粗糙度进行测量，之后对抛光后的样品进行外延加工，对比经过不同加工方式的抛光后硅片边缘损伤的残留程度。结果表明...

边缘抛光机是指采用化学机械抛光方法，对硅片边缘进行抛光，降低硅片边缘的粗糙度和加工应力的工艺设备。进行硅片例角加工时，由于倒角磨轮后料粒度的原因，硅片边豫总会残留一定深度的损伤层，表面粗糙度较大，所以无法清足后续硅片制道过程中对洁净度的要求。通过硅片边缘抛光，一方面可以降低硅片边缘的粗精皮、降低边缘行染， 另一方面可以消除边缘加工应力、减小硅片碎裂的风险。在实际应用中，直径20m或30mm的...

随着对更小、更快、更节能的器件的需求不断增长，对更薄晶圆的需求也变得日益重要。晶圆背面研磨（也称为晶圆减薄 ）通过控制晶圆厚度，在实现这一目标中发挥着至关重要的作用。晶圆厚度控制是制造超薄晶圆的必要条件，而超薄晶圆则用于在紧凑型电子设备中实现比例协调、高密度封装。半导体晶圆背面研磨（Back Grinding, BG）是先进封装与3D集成中的关键薄化工艺。尤其对于混合键合工艺，背磨质量直接决...

金刚石作为碳元素构成，不仅是自然界中硬度最高的物质，更在光学领域展现出独特价值。金刚石的光学特性与其晶体结构和电子能带结构紧密相关。从晶体结构来看，它属于面心立方结构，每个碳原子通过sp3杂化与相邻4个碳原子形成共价键，碳碳键长约0.154nm，键能高达 345kJ/mol，这种紧密且稳定的结构，使得晶体内部缺陷少、杂质难以嵌入,当光线穿过时，较少因晶格缺陷发生散射，能保持较高的透过效率。从...

今年以来，碳化硅（SiC，碳和硅的化合物）产业层面催化不断。近日，露笑科技宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试；在此之前的1月中旬，美国SiC企业Wolfspeed亦宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆……随着12英寸SiC产品加快涌现，资本市场曾多次出现CoWoS（台积电的先进封装技术）将用碳化硅替代硅作为中间层的传闻。不过，对于这一说法，S...

从报废到再上机：一文读懂Wafer Reclaim（再生晶圆）的工艺、指标与门道你可能听过“芯片制造是烧钱的艺术”，但真正进过晶圆厂（Fab，Fabrication Plant）的人会发现： 除了昂贵的光刻机和材料，最容易被忽略、却又天天在消耗的，是各类“测试/监控晶圆”。这些晶圆不直接变成可卖的芯片，却要反复上机台跑工艺，用来做设备状态确认、工艺窗口验证、污染监控、量测校准、制程切换过渡…...