先进制程正在把“电镀”从后段配套工序，推成先进封装和三维互连里的关键工艺节点。无论是 TSV 铜填充、RDL 重布线、铜柱/微凸块，还是面板级封装中的大面积金属沉积，最后考验的都不只是“能不能镀上去”，而是能否在更薄种子层、更高深宽比、更大面积基板和更严苛良率目标下，稳定地做到无空洞、低应力、高均匀性和可量产复制。本文不把电镀设备当成单一机台看，而是把它放在“工艺窗口、化学体系、流场电场控制...

在晶圆边缘2-3mm区域有5个不同的区域，分别为：晶圆顶部边缘（Wafer Top Edge）、上斜面（Upper Bevel）、顶端（Apex）、下斜面（Bottom Bevel）和晶圆底部顶端（Wafer Bottom Edge）。晶圆制造标准要求对于边缘斜面区域进行抛光，防止在这个区域出现晶圆的崩边（chipping）或开裂（cracking）。 在3D NAND闪存制造过程中，在边缘...

一、当“硅不再是唯一”——材料革命带来的清洗挑战从 90 nm 到 28 nm，再到 FinFET、GAA 结构的世代更替，材料体系也在重构：金属布线：由 铝 → 铜（Cu）介电层：由 SiO₂ → 多孔 Low-k（SiCOH）电极与电容材料：出现 Ru、Pt、Ta₂O₅、BST、PZT 等新组合这些新材料的共同点，是对传统酸碱清洗液都不再“稳”：酸会腐蚀铜，碱会侵蚀低 k 层的有机骨架。...

随着对更小、更快、更节能的器件的需求不断增长，对更薄晶圆的需求也变得日益重要。晶圆背面研磨（也称为晶圆减薄 ）通过控制晶圆厚度，在实现这一目标中发挥着至关重要的作用。晶圆厚度控制是制造超薄晶圆的必要条件，而超薄晶圆则用于在紧凑型电子设备中实现比例协调、高密度封装。半导体晶圆背面研磨（Back Grinding, BG）是先进封装与3D集成中的关键薄化工艺。尤其对于混合键合工艺，背磨质量直接决...

晶圆也会“洗”出毛病？一文讲透 WET Clean 的 Defect 真相你有没有遇到过这种“诡异”的良率波动：同一套光刻、同一台刻蚀、同一批材料，偏偏某几片晶圆（Wafer）在电测（E-test，电性测试）或缺陷扫描里爆出一堆点——像撒了芝麻。工程师一路追到最后，发现罪魁祸首可能不是光刻，也不是刻蚀，而是一个看起来“最无辜”的步骤：WET Clean（湿法清洗）。更反直觉的是：WET Cl...

化学机械抛光CMP工艺不仅用于不同衬底材料的制备，还常用于晶圆表面纳米级的平坦化，特别在极大规模集成电路中，CMP是唯一可以实现全局平坦化的技术。CMP质量与CMP设备、抛光垫和抛光液紧密相关。磨料作为抛光液的核心组分之一，不仅直接参与机械研磨过程，还与抛光液中的其他化学成分相互作用，共同影响抛光效果。1 磨料的种类磨料的种类有很多，除了传统的磨料之外，近年来涌现了很多新型磨料。按其成分划分...

在先进器件与混合键合时代，CMP 已经不是“靠抛光解决问题”的工艺，而是必须从架构和设计端被“提前设计好”的系统工程。一、CMP 的难点，正在被器件形态系统性放大一开始并没有直接进入 CMP 工艺细节，而是从应用场景讲起：CMOS Image SensorIR Image SensorAR / VR 微显示多技术混合集成 IC（Hybrid IC）这些器件有一个非常鲜明的共性：大面积、高密度...

晶圆抛光液

晶圆抛光机和研磨设备在半导体制造中虽然都用于处理晶圆表面，但它们在原理、应用场景、处理效果以及设备特点等方面存在显著差异。以下是对这两者的详细比较：      一、原理差异      1、晶圆研磨设备：利用晶圆片和研磨盘之间的物理摩擦和压力，通过多级研磨和化学机械研磨（CMP）的方法，将晶圆片表面磨平。研磨过程中，需要精确控制研磨盘的速度、压力以及研磨液的种类和浓度，以确保晶圆表面的平整度达...