半导体芯片减薄工艺流程主要包括以下步骤：       一、半导体芯片前期准备       1、晶圆选择：根据生产要求和成本考虑，选择经过初步清洗和检验合格的单晶硅圆盘作为原始晶圆。       2、临时键合（针对易碎或硬度较低的晶圆材料，如InP）：为防止晶圆在研磨过程中碎裂，会先用中间介质（如固态蜡）将晶圆临时键合到较厚的载体基片上，为其提供结构支撑。这一步骤完成后，露出晶圆的背面以待完成...

什么是电化学机械抛光(ECMP)？目前化学机械抛光的材料去除率以及加工后的表面粗糙度，已经很难通过改变工艺取得大的突破。在CMP抛光的基础上施加增效辅助，成为了近些年大幅度提高材料去除率和降低表面粗糙度的最优选择。ECMP是一种利用电解液作为抛光液，将工件的电化学腐蚀与机械抛光相结合的精密工艺。在单晶SiC (作为阳极)表面带电后通过阳极氧化产生氧化层，然后用软磨料机械去除氧化层，最后获得超...

催化剂表面基准刻蚀平滑化技术（CARE）在电子器件用半导体单晶的表面加工中，要求在平坦、光滑的同时，尽可能地减少晶体缺陷的导入。一般来说，在研磨等机械加工中，由于从表面的凸部选择性地进行去除，因此可以高效率地改善表面的平坦度，但是在加工面上残留加工劣化层。另一方面，在湿法蚀刻和等离子蚀刻等化学加工的情况下，虽然没有加工变质层的残留，但是由于没有积极的平坦化结构，所以一般不能进行平坦、平滑化。...

今年以来，碳化硅（SiC，碳和硅的化合物）产业层面催化不断。近日，露笑科技宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试；在此之前的1月中旬，美国SiC企业Wolfspeed亦宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆……随着12英寸SiC产品加快涌现，资本市场曾多次出现CoWoS（台积电的先进封装技术）将用碳化硅替代硅作为中间层的传闻。不过，对于这一说法，S...

新加坡和比利时的研究人员报道称，在中度缩放的硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMTs）于30GHz工作时，实现了超过60%的创纪录峰值功率附加效率（PAE）[Yihao Zhuang等人，《IEEE电子器件快报》，2026年1月22日在线发表]。同时，这些器件还展现了业界领先的噪声系数（NF），最低仅为1.1dB。来自南洋理工大学、新加坡科技研究局（A*STAR）以及比...

全球功率半导体领导者英飞凌（Infineon）近日正式发布白皮书《2026年GaN技术展望》，深度揭示了氮化镓（GaN）技术在未来几年的发展趋势、创新突破及其在塑造可持续未来中的关键作用 。该报告从技术、系统和运营三大支柱出发，深入分析了GaN如何推动功率电子行业向更高效、更可持续的方向发展。英飞凌指出，氮化镓（GaN）正作为一种变革性创新技术脱颖而出，在AI数据中心、人形机器人及电动汽车等...

在半导体制造工艺中，硅片表面的全局平坦化是确保器件性能与集成度持续提升的关键步骤。化学机械抛光（CMP）作为当前唯一能够实现纳米级全局平坦化的工艺，其核心挑战在于如何协同优化材料去除速率与表面质量。传统碱性抛光液依赖高浓度OH⁻离子加速硅的水解腐蚀，虽能提升速率，却常伴随高静态腐蚀率、表面粗糙度难以控制等问题。近年来，一种名为咪唑（Imidazole, IMZ）的杂环化合物，因其在硅片CMP...

摘要为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光，提高碳化硅抛光的成品率，降低加工成本，对现有的碳化硅化学机械抛光 技术进行了总结和研究。针对碳化硅典型的晶型结构及其微观晶格结构特点，简述了化学机械抛光技术对碳化硅材料 去除的影响。重点综述了传统化学机械抛光技术中的游离磨料和固结磨料工艺以及化学机械抛光的辅助增效工艺。同时从工艺条件、加工效果、加工特点及去除机理 4 个方面归纳了不同形式的化学机械抛光技...

在针对需要高速开关能力的应用场景设计的高性能电子器件中，采用碳化硅（SiC）材料制造的晶圆表面，其理想状态应达到原子级别的平滑度，同时确保无任何亚表面损伤。然而，单晶SiC因其卓越的硬度、显著的脆性特性以及化学惰性，而被业界公认为加工难度极高的材料之一。化学机械抛光（CMP）技术，是半导体制造过程中的一项关键技术，其工作原理是将晶圆表面暴露在含有磨粒和化学试剂的抛光液中，通过抛光垫与晶圆之间...

氮化镓MOCVD设备