等离子体辅助抛光技术（PAP）等离子体辅助抛光技术将等离子体表面改性与机械研磨相结合，利用等离子体产生的高能量高活性粒子对基底表面进行改性，结合机械研磨工艺，从而实现高效、低损伤的抛光效果。（1）PAP 技术的原理芯片材料可以主要有以下几种：硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）以及单晶金刚石（Single Crystal Diamond, SCD）等。这些材料在芯...

金刚石作为碳元素构成，不仅是自然界中硬度最高的物质，更在光学领域展现出独特价值。金刚石的光学特性与其晶体结构和电子能带结构紧密相关。从晶体结构来看，它属于面心立方结构，每个碳原子通过sp3杂化与相邻4个碳原子形成共价键，碳碳键长约0.154nm，键能高达 345kJ/mol，这种紧密且稳定的结构，使得晶体内部缺陷少、杂质难以嵌入,当光线穿过时，较少因晶格缺陷发生散射，能保持较高的透过效率。从...

日前，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，开始交付用于下一代功率半导体的150毫米（6英寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆样品，这一动作标志着氧化镓作为超宽禁带半导体材料，向规模化量产迈出了关键一步。据悉，NCT已明确后续发展路线：2027年交付150毫米β-Ga₂O₃外延片样品，2029年实现全面量产，2035年进一步开发并供应200毫米（8英寸）β-Ga₂O₃晶圆...

微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）是制备高品质金刚石的核心技术，其通过微波激发等离子体实现碳原子在基底上的可控沉积。以下从工艺原理、关键技术、设备创新及应用突破等方面展开分析：一、工艺原理与核心机制1. 等离子体激发与反应路径微波能量耦合：2.45GHz 或 915MHz 微波通过谐振腔聚焦，在反应室内形成强电磁场，将氢气（H₂）和甲烷（CH₄）混合气体电离为等离子体，产生高活性氢原子（...

氮化铝（AlN）单晶衬底作为第四代半导体材料，凭借其独特的物理化学性质和优异性能，有望成为AI产业的关键推动力量。AlN具备高达6.2eV的禁带宽度、高击穿场强、高化学和热稳定性，以及高导热和抗辐射等特性，高质量的AlN 单晶基板可广泛应用于射频器件、功率电子、MEMS元件等领域，能够有效提升设备的稳定性和性能。此外，AlN在光电探测、阴极发光、光子集成电路等光电领域也具有巨大潜力。氮化铝单...

近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造d...

以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽带隙（WBG）半导体受到广泛关注，人们对碳化硅在电动汽车和电网等领域的应用前景以及氮化镓在快速充电领域的应用前景寄予厚望。近年来，对Ga2O3、AlN和金刚石材料的研究取得了显著进展，使超宽带隙半导体材料成为人们关注的焦点。其中，氧化镓（Ga2O3）是一种新兴的超宽带隙半导体材料，其带隙为4.8eV，理论临界击穿场强约 8 MV cm−1和饱和速...

PART1 金刚石衬底单晶金刚石具有超宽的禁带宽度、低的介电常数、高的击穿电压、高的本征电子和空穴迁移率，以及优越的抗辐射性能，是已知的最优秀的宽禁带高温半导体材料。相比常规的半导体材料硅，金刚石优异的热导率能够及时散发电路运转过程中的热量，从而极大地提高精密仪器的运行功率，避免由于热量聚集导致各类电子器件损坏。另外，金刚石的饱和载流子速度优于其他的半导体材料，加上高的电子迁移率及极高的击穿...

2月3日，上海市第十六届人大四次会议在世博中心开幕。上海市市长龚正作《政府工作报告》。报告指出，2026年将大力培育发展脑机接口、第四代半导体等未来产业。何为第四代半导体？第四代半导体发展近况如何？作为未来产业中未来材料方向的关键组成部分，其将对半导体乃至整个电子信息产业带来何种影响？第四代半导体是继第一代硅基半导体、第二代化合物半导体（如砷化镓、磷化铟）、第三代宽禁带半导体（如碳化硅、氮化...