本文共同第一作者葛睿来自上海交通大学先进光通信系统与网络国家重点实验室。文章聚焦薄膜铌酸锂光子晶体，综述其在制备、表征及应用*领域的最新进展：首先介绍铌酸锂材料本身具备的电光、非线性光学、声光、压电、光折变及热释电等优异特性，以及薄膜铌酸锂光子晶体“亚波长尺度约束光、利于片上器件集成”的优势；随后结合商业化铌酸锂绝缘体上芯片的发展背景，阐述高质量薄膜铌酸锂光子晶体的涌现，并从“指导器件研究”...

边缘抛光机是指采用化学机械抛光方法，对硅片边缘进行抛光，降低硅片边缘的粗糙度和加工应力的工艺设备。进行硅片例角加工时，由于倒角磨轮后料粒度的原因，硅片边豫总会残留一定深度的损伤层，表面粗糙度较大，所以无法清足后续硅片制道过程中对洁净度的要求。通过硅片边缘抛光，一方面可以降低硅片边缘的粗精皮、降低边缘行染， 另一方面可以消除边缘加工应力、减小硅片碎裂的风险。在实际应用中，直径20m或30mm的...

金刚石作为碳元素构成，不仅是自然界中硬度最高的物质，更在光学领域展现出独特价值。金刚石的光学特性与其晶体结构和电子能带结构紧密相关。从晶体结构来看，它属于面心立方结构，每个碳原子通过sp3杂化与相邻4个碳原子形成共价键，碳碳键长约0.154nm，键能高达 345kJ/mol，这种紧密且稳定的结构，使得晶体内部缺陷少、杂质难以嵌入,当光线穿过时，较少因晶格缺陷发生散射，能保持较高的透过效率。从...

日前，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，开始交付用于下一代功率半导体的150毫米（6英寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆样品，这一动作标志着氧化镓作为超宽禁带半导体材料，向规模化量产迈出了关键一步。据悉，NCT已明确后续发展路线：2027年交付150毫米β-Ga₂O₃外延片样品，2029年实现全面量产，2035年进一步开发并供应200毫米（8英寸）β-Ga₂O₃晶圆...

今年以来，碳化硅（SiC，碳和硅的化合物）产业层面催化不断。近日，露笑科技宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试；在此之前的1月中旬，美国SiC企业Wolfspeed亦宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆……随着12英寸SiC产品加快涌现，资本市场曾多次出现CoWoS（台积电的先进封装技术）将用碳化硅替代硅作为中间层的传闻。不过，对于这一说法，S...

从报废到再上机：一文读懂Wafer Reclaim（再生晶圆）的工艺、指标与门道你可能听过“芯片制造是烧钱的艺术”，但真正进过晶圆厂（Fab，Fabrication Plant）的人会发现： 除了昂贵的光刻机和材料，最容易被忽略、却又天天在消耗的，是各类“测试/监控晶圆”。这些晶圆不直接变成可卖的芯片，却要反复上机台跑工艺，用来做设备状态确认、工艺窗口验证、污染监控、量测校准、制程切换过渡…...

微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）是制备高品质金刚石的核心技术，其通过微波激发等离子体实现碳原子在基底上的可控沉积。以下从工艺原理、关键技术、设备创新及应用突破等方面展开分析：一、工艺原理与核心机制1. 等离子体激发与反应路径微波能量耦合：2.45GHz 或 915MHz 微波通过谐振腔聚焦，在反应室内形成强电磁场，将氢气（H₂）和甲烷（CH₄）混合气体电离为等离子体，产生高活性氢原子（...

化学机械抛光CMP工艺不仅用于不同衬底材料的制备，还常用于晶圆表面纳米级的平坦化，特别在极大规模集成电路中，CMP是唯一可以实现全局平坦化的技术。CMP质量与CMP设备、抛光垫和抛光液紧密相关。磨料作为抛光液的核心组分之一，不仅直接参与机械研磨过程，还与抛光液中的其他化学成分相互作用，共同影响抛光效果。1 磨料的种类磨料的种类有很多，除了传统的磨料之外，近年来涌现了很多新型磨料。按其成分划分...

氮化铝（AlN）单晶衬底作为第四代半导体材料，凭借其独特的物理化学性质和优异性能，有望成为AI产业的关键推动力量。AlN具备高达6.2eV的禁带宽度、高击穿场强、高化学和热稳定性，以及高导热和抗辐射等特性，高质量的AlN 单晶基板可广泛应用于射频器件、功率电子、MEMS元件等领域，能够有效提升设备的稳定性和性能。此外，AlN在光电探测、阴极发光、光子集成电路等光电领域也具有巨大潜力。氮化铝单...

近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造d...