今年以来，碳化硅（SiC，碳和硅的化合物）产业层面催化不断。近日，露笑科技宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试；在此之前的1月中旬，美国SiC企业Wolfspeed亦宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆……随着12英寸SiC产品加快涌现，资本市场曾多次出现CoWoS（台积电的先进封装技术）将用碳化硅替代硅作为中间层的传闻。不过，对于这一说法，S...

晶圆也会“洗”出毛病？一文讲透 WET Clean 的 Defect 真相你有没有遇到过这种“诡异”的良率波动：同一套光刻、同一台刻蚀、同一批材料，偏偏某几片晶圆（Wafer）在电测（E-test，电性测试）或缺陷扫描里爆出一堆点——像撒了芝麻。工程师一路追到最后，发现罪魁祸首可能不是光刻，也不是刻蚀，而是一个看起来“最无辜”的步骤：WET Clean（湿法清洗）。更反直觉的是：WET Cl...

微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）是制备高品质金刚石的核心技术，其通过微波激发等离子体实现碳原子在基底上的可控沉积。以下从工艺原理、关键技术、设备创新及应用突破等方面展开分析：一、工艺原理与核心机制1. 等离子体激发与反应路径微波能量耦合：2.45GHz 或 915MHz 微波通过谐振腔聚焦，在反应室内形成强电磁场，将氢气（H₂）和甲烷（CH₄）混合气体电离为等离子体，产生高活性氢原子（...

全球功率半导体领导者英飞凌（Infineon）近日正式发布白皮书《2026年GaN技术展望》，深度揭示了氮化镓（GaN）技术在未来几年的发展趋势、创新突破及其在塑造可持续未来中的关键作用 。该报告从技术、系统和运营三大支柱出发，深入分析了GaN如何推动功率电子行业向更高效、更可持续的方向发展。英飞凌指出，氮化镓（GaN）正作为一种变革性创新技术脱颖而出，在AI数据中心、人形机器人及电动汽车等...

在半导体制造工艺中，硅片表面的全局平坦化是确保器件性能与集成度持续提升的关键步骤。化学机械抛光（CMP）作为当前唯一能够实现纳米级全局平坦化的工艺，其核心挑战在于如何协同优化材料去除速率与表面质量。传统碱性抛光液依赖高浓度OH⁻离子加速硅的水解腐蚀，虽能提升速率，却常伴随高静态腐蚀率、表面粗糙度难以控制等问题。近年来，一种名为咪唑（Imidazole, IMZ）的杂环化合物，因其在硅片CMP...

近些年来，化学气相沉积（CVD）单晶金刚石在电子学领域的应用令人瞩目，这得益于CVD单晶金刚石在生长技术和半导体掺杂技术上的进展。一直以来，成熟的衬底加工技术是半导体材料得以应用的基础，其中超精密抛光作为晶圆衬底加工的最后一道工序，直接决定了晶圆表面粗糙度和亚表面损伤程度。目前，金刚石抛光技术主要有机械抛光、热化学抛光、激光抛光和化学机械抛光等，其中化学机械抛光（chemical mecha...

近日举办的上海市第十六届人民代表大会第四次会议上指出，2026年将大力培育发展脑机接口、第四代半导体等未来产业。何为第四代半导体？第四代半导体发展近况如何？作为未来产业中未来材料方向的关键组成部分，其将对半导体乃至整个电子信息产业带来何种影响？半导体代表性材料进阶图以氧化镓、金刚石、氮化铝为核心代表的第四代半导体，也被称为“超宽禁带半导体”。随着宽禁带半导体发展越发火热，第四代半导体的潜力也...

在电子器件热管理领域不断探索创新的大背景下，本文得以呈现。本文作者为厦门大学于大全老师及其团队。主要研究内容聚焦于一种新型的异质集成技术 — 用于高效热管理的金刚石 - 芯片 - 玻璃中介层集成。随着电子器件集成度的不断提高，热管理问题日益成为制约其性能提升的关键因素。本文提出的这种集成技术旨在通过创新的材料和结构设计，有效解决电子器件在运行过程中产生的热量积累问题，提高器件的散热效率，进而...

摘要为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光，提高碳化硅抛光的成品率，降低加工成本，对现有的碳化硅化学机械抛光 技术进行了总结和研究。针对碳化硅典型的晶型结构及其微观晶格结构特点，简述了化学机械抛光技术对碳化硅材料 去除的影响。重点综述了传统化学机械抛光技术中的游离磨料和固结磨料工艺以及化学机械抛光的辅助增效工艺。同时从工艺条件、加工效果、加工特点及去除机理 4 个方面归纳了不同形式的化学机械抛光技...