在针对需要高速开关能力的应用场景设计的高性能电子器件中，采用碳化硅（SiC）材料制造的晶圆表面，其理想状态应达到原子级别的平滑度，同时确保无任何亚表面损伤。然而，单晶SiC因其卓越的硬度、显著的脆性特性以及化学惰性，而被业界公认为加工难度极高的材料之一。化学机械抛光（CMP）技术，是半导体制造过程中的一项关键技术，其工作原理是将晶圆表面暴露在含有磨粒和化学试剂的抛光液中，通过抛光垫与晶圆之间...
氮化镓MOCVD设备
超音速二流体结冰清洗单元
研磨废水浓缩回收机
晶圆抛光液
晶圆边缘抛光带
等离子体化学气相加工机（PCVM）
碳化硅/氮化镓研磨机
金刚石等离子辅助抛光机（PAP）
