什么是电化学机械抛光(ECMP)？目前化学机械抛光的材料去除率以及加工后的表面粗糙度，已经很难通过改变工艺取得大的突破。在CMP抛光的基础上施加增效辅助，成为了近些年大幅度提高材料去除率和降低表面粗糙度的最优选择。ECMP是一种利用电解液作为抛光液，将工件的电化学腐蚀与机械抛光相结合的精密工艺。在单晶SiC (作为阳极)表面带电后通过阳极氧化产生氧化层，然后用软磨料机械去除氧化层，最后获得超...

催化剂表面基准刻蚀平滑化技术（CARE）在电子器件用半导体单晶的表面加工中，要求在平坦、光滑的同时，尽可能地减少晶体缺陷的导入。一般来说，在研磨等机械加工中，由于从表面的凸部选择性地进行去除，因此可以高效率地改善表面的平坦度，但是在加工面上残留加工劣化层。另一方面，在湿法蚀刻和等离子蚀刻等化学加工的情况下，虽然没有加工变质层的残留，但是由于没有积极的平坦化结构，所以一般不能进行平坦、平滑化。...

等离子体辅助抛光技术（PAP）等离子体辅助抛光技术将等离子体表面改性与机械研磨相结合，利用等离子体产生的高能量高活性粒子对基底表面进行改性，结合机械研磨工艺，从而实现高效、低损伤的抛光效果。（1）PAP 技术的原理芯片材料可以主要有以下几种：硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）以及单晶金刚石（Single Crystal Diamond, SCD）等。这些材料在芯...

引言当传统边缘抛光工艺在于“表面光亮”，精密抛光技术则需要实现边缘形貌与粗糙度的精确控制。玻璃材料的加工精度，尤其是边缘质量的控制，已成为影响最终器件性能、可靠性与生产良率的关键环节之一。通常，玻璃在切割成型后，会经过磨削和倒角处理，以获得基本尺寸与形状，并消除锋利边角以保障操作安全。但一个普遍且重要的问题是：为什么在边缘已经过磨边倒角之后，仍需要再进行一道边缘抛光工序？加了这道工序虽能实现...

摘要重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中，硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验，使用显微镜观察抛光片的边缘形貌，使用三维光学表面分析仪对抛光片的表面粗糙度进行测量，之后对抛光后的样品进行外延加工，对比经过不同加工方式的抛光后硅片边缘损伤的残留程度。结果表明...

边缘抛光机是指采用化学机械抛光方法，对硅片边缘进行抛光，降低硅片边缘的粗糙度和加工应力的工艺设备。进行硅片例角加工时，由于倒角磨轮后料粒度的原因，硅片边豫总会残留一定深度的损伤层，表面粗糙度较大，所以无法清足后续硅片制道过程中对洁净度的要求。通过硅片边缘抛光，一方面可以降低硅片边缘的粗精皮、降低边缘行染， 另一方面可以消除边缘加工应力、减小硅片碎裂的风险。在实际应用中，直径20m或30mm的...

一、当“硅不再是唯一”——材料革命带来的清洗挑战从 90 nm 到 28 nm，再到 FinFET、GAA 结构的世代更替，材料体系也在重构：金属布线：由 铝 → 铜（Cu）介电层：由 SiO₂ → 多孔 Low-k（SiCOH）电极与电容材料：出现 Ru、Pt、Ta₂O₅、BST、PZT 等新组合这些新材料的共同点，是对传统酸碱清洗液都不再“稳”：酸会腐蚀铜，碱会侵蚀低 k 层的有机骨架。...

随着对更小、更快、更节能的器件的需求不断增长，对更薄晶圆的需求也变得日益重要。晶圆背面研磨（也称为晶圆减薄 ）通过控制晶圆厚度，在实现这一目标中发挥着至关重要的作用。晶圆厚度控制是制造超薄晶圆的必要条件，而超薄晶圆则用于在紧凑型电子设备中实现比例协调、高密度封装。半导体晶圆背面研磨（Back Grinding, BG）是先进封装与3D集成中的关键薄化工艺。尤其对于混合键合工艺，背磨质量直接决...

日前，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，开始交付用于下一代功率半导体的150毫米（6英寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆样品，这一动作标志着氧化镓作为超宽禁带半导体材料，向规模化量产迈出了关键一步。据悉，NCT已明确后续发展路线：2027年交付150毫米β-Ga₂O₃外延片样品，2029年实现全面量产，2035年进一步开发并供应200毫米（8英寸）β-Ga₂O₃晶圆...