随着对更小、更快、更节能的器件的需求不断增长，对更薄晶圆的需求也变得日益重要。晶圆背面研磨（也称为晶圆减薄 ）通过控制晶圆厚度，在实现这一目标中发挥着至关重要的作用。晶圆厚度控制是制造超薄晶圆的必要条件，而超薄晶圆则用于在紧凑型电子设备中实现比例协调、高密度封装。半导体晶圆背面研磨（Back Grinding, BG）是先进封装与3D集成中的关键薄化工艺。尤其对于混合键合工艺，背磨质量直接决...

金刚石作为碳元素构成，不仅是自然界中硬度最高的物质，更在光学领域展现出独特价值。金刚石的光学特性与其晶体结构和电子能带结构紧密相关。从晶体结构来看，它属于面心立方结构，每个碳原子通过sp3杂化与相邻4个碳原子形成共价键，碳碳键长约0.154nm，键能高达 345kJ/mol，这种紧密且稳定的结构，使得晶体内部缺陷少、杂质难以嵌入,当光线穿过时，较少因晶格缺陷发生散射，能保持较高的透过效率。从...

日前，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，开始交付用于下一代功率半导体的150毫米（6英寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆样品，这一动作标志着氧化镓作为超宽禁带半导体材料，向规模化量产迈出了关键一步。据悉，NCT已明确后续发展路线：2027年交付150毫米β-Ga₂O₃外延片样品，2029年实现全面量产，2035年进一步开发并供应200毫米（8英寸）β-Ga₂O₃晶圆...

今年以来，碳化硅（SiC，碳和硅的化合物）产业层面催化不断。近日，露笑科技宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试；在此之前的1月中旬，美国SiC企业Wolfspeed亦宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆……随着12英寸SiC产品加快涌现，资本市场曾多次出现CoWoS（台积电的先进封装技术）将用碳化硅替代硅作为中间层的传闻。不过，对于这一说法，S...

从报废到再上机：一文读懂Wafer Reclaim（再生晶圆）的工艺、指标与门道你可能听过“芯片制造是烧钱的艺术”，但真正进过晶圆厂（Fab，Fabrication Plant）的人会发现： 除了昂贵的光刻机和材料，最容易被忽略、却又天天在消耗的，是各类“测试/监控晶圆”。这些晶圆不直接变成可卖的芯片，却要反复上机台跑工艺，用来做设备状态确认、工艺窗口验证、污染监控、量测校准、制程切换过渡…...

一、 运维模式选择：自己养人还是外包？数据说了算核心问题： 洁净室运维到底是组建自己的专业团队，还是外包给第三方？硬核数据：一项针对全国1308家医院洁净手术室的调查研究给出了明确答案。结果显示，有25.7%的洁净室未能达到国家标准GB 50333的要求。而在影响达标率的诸多因素中，“维护模式”是最关键的一个——采用“专业团队维护”的洁净室，达标率远高于“外包或无人维护”。统计学分析表明，专...

晶圆也会“洗”出毛病？一文讲透 WET Clean 的 Defect 真相你有没有遇到过这种“诡异”的良率波动：同一套光刻、同一台刻蚀、同一批材料，偏偏某几片晶圆（Wafer）在电测（E-test，电性测试）或缺陷扫描里爆出一堆点——像撒了芝麻。工程师一路追到最后，发现罪魁祸首可能不是光刻，也不是刻蚀，而是一个看起来“最无辜”的步骤：WET Clean（湿法清洗）。更反直觉的是：WET Cl...

微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）是制备高品质金刚石的核心技术，其通过微波激发等离子体实现碳原子在基底上的可控沉积。以下从工艺原理、关键技术、设备创新及应用突破等方面展开分析：一、工艺原理与核心机制1. 等离子体激发与反应路径微波能量耦合：2.45GHz 或 915MHz 微波通过谐振腔聚焦，在反应室内形成强电磁场，将氢气（H₂）和甲烷（CH₄）混合气体电离为等离子体，产生高活性氢原子（...

一、引言在半导体封装技术中，热管理与机械可靠性始终是工程师最为关注的核心问题之一。随着芯片尺寸的不断缩小、集成度的不断提高以及异质集成技术（如2.5D/3D封装、CoWoS、FOWLP等）的发展，封装中不同材料间的热膨胀系数（CTE）失配问题日益凸显。CTE的不匹配会在温度变化过程中导致材料间的应力积累、界面剥离、焊点疲劳乃至封装翘曲（warpage）等一系列可靠性风险。因此，深入理解并合理...

化学机械抛光CMP工艺不仅用于不同衬底材料的制备，还常用于晶圆表面纳米级的平坦化，特别在极大规模集成电路中，CMP是唯一可以实现全局平坦化的技术。CMP质量与CMP设备、抛光垫和抛光液紧密相关。磨料作为抛光液的核心组分之一，不仅直接参与机械研磨过程，还与抛光液中的其他化学成分相互作用，共同影响抛光效果。1 磨料的种类磨料的种类有很多，除了传统的磨料之外，近年来涌现了很多新型磨料。按其成分划分...