从报废到再上机：一文读懂Wafer Reclaim（再生晶圆）的工艺、指标与门道你可能听过“芯片制造是烧钱的艺术”，但真正进过晶圆厂（Fab，Fabrication Plant）的人会发现： 除了昂贵的光刻机和材料，最容易被忽略、却又天天在消耗的，是各类“测试/监控晶圆”。这些晶圆不直接变成可卖的芯片，却要反复上机台跑工艺，用来做设备状态确认、工艺窗口验证、污染监控、量测校准、制程切换过渡…...
化学机械抛光CMP工艺不仅用于不同衬底材料的制备，还常用于晶圆表面纳米级的平坦化，特别在极大规模集成电路中，CMP是唯一可以实现全局平坦化的技术。CMP质量与CMP设备、抛光垫和抛光液紧密相关。磨料作为抛光液的核心组分之一，不仅直接参与机械研磨过程，还与抛光液中的其他化学成分相互作用，共同影响抛光效果。1 磨料的种类磨料的种类有很多，除了传统的磨料之外，近年来涌现了很多新型磨料。按其成分划分...
氮化铝（AlN）单晶衬底作为第四代半导体材料，凭借其独特的物理化学性质和优异性能，有望成为AI产业的关键推动力量。AlN具备高达6.2eV的禁带宽度、高击穿场强、高化学和热稳定性，以及高导热和抗辐射等特性，高质量的AlN 单晶基板可广泛应用于射频器件、功率电子、MEMS元件等领域，能够有效提升设备的稳定性和性能。此外，AlN在光电探测、阴极发光、光子集成电路等光电领域也具有巨大潜力。氮化铝单...
近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造d...
以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽带隙（WBG）半导体受到广泛关注，人们对碳化硅在电动汽车和电网等领域的应用前景以及氮化镓在快速充电领域的应用前景寄予厚望。近年来，对Ga2O3、AlN和金刚石材料的研究取得了显著进展，使超宽带隙半导体材料成为人们关注的焦点。其中，氧化镓（Ga2O3）是一种新兴的超宽带隙半导体材料，其带隙为4.8eV，理论临界击穿场强约 8 MV cm−1和饱和速...
PART1 金刚石衬底单晶金刚石具有超宽的禁带宽度、低的介电常数、高的击穿电压、高的本征电子和空穴迁移率，以及优越的抗辐射性能，是已知的最优秀的宽禁带高温半导体材料。相比常规的半导体材料硅，金刚石优异的热导率能够及时散发电路运转过程中的热量，从而极大地提高精密仪器的运行功率，避免由于热量聚集导致各类电子器件损坏。另外，金刚石的饱和载流子速度优于其他的半导体材料，加上高的电子迁移率及极高的击穿...
2月3日，上海市第十六届人大四次会议在世博中心开幕。上海市市长龚正作《政府工作报告》。报告指出，2026年将大力培育发展脑机接口、第四代半导体等未来产业。何为第四代半导体？第四代半导体发展近况如何？作为未来产业中未来材料方向的关键组成部分，其将对半导体乃至整个电子信息产业带来何种影响？第四代半导体是继第一代硅基半导体、第二代化合物半导体（如砷化镓、磷化铟）、第三代宽禁带半导体（如碳化硅、氮化...
一、市场格局：中美日技术路线分化，钻石散热成新赛道1.中国：液冷技术快速渗透，钻石散热龙头崛起政策驱动：中国“东数西算”工程推动液冷数据中心建设，预计2026年液冷服务器占比达35%，钻石散热片市场规模年复合增长率超25%。技术突破：深圳力合精密装备科技有限公司研发的“超导钻石散热片”实现量产，导热系数达1200W/m·K，是传统铜材的3倍，价格较进口产品降低60%。市场表...
在半导体制造工艺中，硅片表面的全局平坦化是确保器件性能与集成度持续提升的关键步骤。化学机械抛光（CMP）作为当前唯一能够实现纳米级全局平坦化的工艺，其核心挑战在于如何协同优化材料去除速率与表面质量。传统碱性抛光液依赖高浓度OH⁻离子加速硅的水解腐蚀，虽能提升速率，却常伴随高静态腐蚀率、表面粗糙度难以控制等问题。近年来，一种名为咪唑（Imidazole, IMZ）的杂环化合物，因其在硅片CMP...
近些年来，化学气相沉积（CVD）单晶金刚石在电子学领域的应用令人瞩目，这得益于CVD单晶金刚石在生长技术和半导体掺杂技术上的进展。一直以来，成熟的衬底加工技术是半导体材料得以应用的基础，其中超精密抛光作为晶圆衬底加工的最后一道工序，直接决定了晶圆表面粗糙度和亚表面损伤程度。目前，金刚石抛光技术主要有机械抛光、热化学抛光、激光抛光和化学机械抛光等，其中化学机械抛光（chemical mecha...
