电子封装清洗剂的选择与应用一、概述       近年来，随着电子信息产业的蓬勃发展和三维封装、超摩尔定律等概念的兴起，芯片封装间距不断缩小，对制造精度和封装后产品洁净度提出了前所未有的严格要求。封装工艺中沉积的污染物不仅具有腐蚀性和导电性，还会严重影响元器件之间的理化和电气性能，显著降低产品的整体可靠性。因此，清洗工艺及相关清洗剂已成为确保电子封装质量的关键环节。   作为轻工业的重要组成部...

随着对更小、更快、更节能的器件的需求不断增长，对更薄晶圆的需求也变得日益重要。晶圆背面研磨（也称为晶圆减薄 ）通过控制晶圆厚度，在实现这一目标中发挥着至关重要的作用。晶圆厚度控制是制造超薄晶圆的必要条件，而超薄晶圆则用于在紧凑型电子设备中实现比例协调、高密度封装。半导体晶圆背面研磨（Back Grinding, BG）是先进封装与3D集成中的关键薄化工艺。尤其对于混合键合工艺，背磨质量直接决...

金刚石作为碳元素构成，不仅是自然界中硬度最高的物质，更在光学领域展现出独特价值。金刚石的光学特性与其晶体结构和电子能带结构紧密相关。从晶体结构来看，它属于面心立方结构，每个碳原子通过sp3杂化与相邻4个碳原子形成共价键，碳碳键长约0.154nm，键能高达 345kJ/mol，这种紧密且稳定的结构，使得晶体内部缺陷少、杂质难以嵌入,当光线穿过时，较少因晶格缺陷发生散射，能保持较高的透过效率。从...

日前，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，开始交付用于下一代功率半导体的150毫米（6英寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆样品，这一动作标志着氧化镓作为超宽禁带半导体材料，向规模化量产迈出了关键一步。据悉，NCT已明确后续发展路线：2027年交付150毫米β-Ga₂O₃外延片样品，2029年实现全面量产，2035年进一步开发并供应200毫米（8英寸）β-Ga₂O₃晶圆...

今年以来，碳化硅（SiC，碳和硅的化合物）产业层面催化不断。近日，露笑科技宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试；在此之前的1月中旬，美国SiC企业Wolfspeed亦宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆……随着12英寸SiC产品加快涌现，资本市场曾多次出现CoWoS（台积电的先进封装技术）将用碳化硅替代硅作为中间层的传闻。不过，对于这一说法，S...